[发明专利]一种高频逆变纳米晶磁芯及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710480271.5 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN107256794B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 孙灯红;李经伟 申请(专利权)人: 东莞市大忠电子有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/153;H01F1/24;C22C38/02;C22C38/32;C22C38/12;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/06
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 姜华
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及高频逆变电源技术领域,具体涉及一种高频逆变纳米晶磁芯及其制备方法,包括如下步骤:将利用单辊熔体旋转快淬法制得的铁基纳米晶带材真空等温退火,然后水冷至室温;对所述铁基纳米晶带材进行破碎得到纳米晶金属粉末,对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形,筛分成第一粉末和第二粉末;将经处理后的第一粉末和第二粉末混合均匀,压制成磁芯;将成型的纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理;再次进行热处理;将纳米晶磁芯进行浸胶固化处理。本发明的制备方法工艺简单,生产成本低,制备出来的磁芯成品具有高饱和磁感应强度、低高频损耗值、低矫顽力、耐高温等优点,其综合性能优良,不易破损,提高了产品的可靠性。
搜索关键词: 一种 高频 纳米 晶磁芯 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将利用单辊熔体旋转快淬法制得的铁基纳米晶带材在温度为450‑500℃、真空度为0.0005‑0.0015Pa条件下真空等温退火1‑2h,炉冷至250‑350℃,保温0.5‑1.5h,然后水冷至室温;(2)对所述铁基纳米晶带材进行破碎得到纳米晶金属粉末,对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形,筛分成70%~90%的通过‑200筛目的第一粉末和10%~30%的通过‑150~+200筛目的第二粉末;(3)取第一粉末加入第一绝缘包覆剂,搅拌均匀后,再加入研磨助剂,球磨至粒径为30‑50μm,烘干,粉碎,待用;(4)取第二粉末加入适量的水,制成质量分数为45%‑55%的悬浮液,然后加入第二绝缘包覆剂,搅拌均匀,再通过胶体磨高剪切研磨至粒径为15‑25μm,喷雾干燥成颗粒状粉体,待用;(5)将经步骤(3)处理后的第一粉末和步骤(4)处理后的第二粉末混合均匀,加入2%‑4%的质量分数为10%‑30%的铝酸钠水溶液,搅拌均匀,采用1.6‑2.0GPa的压制压力压制成磁芯;(6)将成型的纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理;(7)将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理;(8)将再次进行热处理后的纳米晶磁芯进行浸胶固化处理;所述步骤(1)中,纳米晶带材为铁基纳米晶带材,所述铁基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素:Si:14%‑16%、B:7%‑9%、Nb:1%‑3%、Cu:1.6%‑1.8%、Zr:4%‑6%、Al:0.5%‑1.5%,余量为Fe;所述铁基纳米晶带材还包括Ga:0.4%‑0.8%、V:0.1%‑0.5%、Ti:0.2%‑0.6%、Mn:1%‑3%、Cr:0.5%‑1.5%、Mo:0.8%‑1.2%、C:1.2%‑1.4%、Ge:0.01%‑0.05%、P:0.001%‑0.005%、Vb:1.4%‑1.8%、Ta:0.3%‑0.7%和W:0.04%‑0.08%。
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