[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201710480724.4 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108122972A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;曾健庭;杨超源;许义明;郑存甫;王薏涵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包含介电层。半导体装置结构亦包含栅极堆叠结构于介电层中。半导体装置结构更包含半导体线，且栅极堆叠结构围绕部分的半导体线。此外，半导体装置结构包含接点电极于介电层中，且接点电极电性连接至半导体线。接点电极与栅极堆叠结构自半导体线朝相反方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置结构 半导体线 栅极堆叠结构 接点电极 介电层 电性连接 方向延伸 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括：一第一介电层；一栅极堆叠结构，位于该第一介电层中；一半导体线，且该栅极堆叠结构围绕部分的该半导体线；以及一接点电极，位于该第一介电层中并电性连接至该半导体线，其中该接点电极与该栅极堆叠结构自该半导体线朝相反方向延伸。
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