[发明专利]多层膜器件及方法有效
| 申请号： | 201710481933.0 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107680943B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张耀仁;纪志坚;高承远;苏鸿文;郭凯翔;施伯铮;阮俊亿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/14;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种器件、结构和方法，由此插入层被利用以为较弱和较柔软的介电层提供附加的支撑。插入层可应用在两个较弱的介电层之间或者插入层可以单层介电材料方式使用。一旦形成，沟槽和通孔被形成在复合层内，并且插入层帮助提供将限制或消除不期望的弯曲或其他结构移动的支撑，不期望的弯曲或其他结构移动可能妨碍诸如用导电材料填充沟槽和通孔的后续工艺步骤。本发明实施例涉及多层膜器件及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一介电层，位于衬底上方；第二介电层，与所述第一介电层物理接触，其中，所述第一介电层和所述第二介电层形成复合介电层，并且其中，所述第二介电层比所述第一介电层具有更大的硬度；以及第一开口，延伸至所述复合介电层内，所述第一开口具有在70°到80°之间的角。
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