[发明专利]一种核壳结构n-二氧化钛@p-钛酸钴纳米晶薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710482083.6 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN107313017B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 卢靖;史欢;梁阔燚;姚恺;徐培光;权潇;白杨杨;陶赟 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种核壳结构n‑二氧化钛@p‑钛酸钴纳米晶薄膜及其制备方法,先将干净的基片安装在磁控溅射仪的样品台,将CoTiO3靶和TiO2靶分别安装在磁控溅射仪的两个射频靶位上;对磁控溅射仪的溅射镀膜室抽真空再通入惰性气体,并使溅射镀膜室的气体压强保持在0.1Pa~2Pa;CoTiO3靶预溅射5~15min;将基片升温至300℃~600℃并保温,CoTiO3靶开始溅射30min~90min,得到CoTiO3有序纳米晶薄膜;调节CoTiO3有序纳米晶薄膜和TiO2靶材相互平行,TiO2靶材溅射10s~120s,得到核壳结构n‑二氧化钛@p‑钛酸钴纳米晶薄膜。本发明可有效地调控薄膜的形貌,成膜性好,操作方便,生产周期短,效率高,适于工业生产。
搜索关键词: 一种 结构 氧化 钛酸钴 纳米 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种核壳结构n‑二氧化钛@p‑钛酸钴纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将干净的基片安装在磁控溅射仪的样品台,将CoTiO3靶和TiO2靶分别安装在磁控溅射仪的两个射频靶位上;(2)对磁控溅射仪的溅射镀膜室抽真空,当真空度达到1.0×10‑4Pa~9.9×10‑4Pa时,向溅射镀膜室通入惰性气体,并使溅射镀膜室的气体压强保持在0.1Pa~2Pa;CoTiO3靶预溅射5~15min;(3)将基片升温至300℃~600℃并保温,CoTiO3靶开始溅射30min~90min,得到CoTiO3有序纳米晶薄膜;(4)调节CoTiO3有序纳米晶薄膜和TiO2靶材相互平行,TiO2靶材溅射10s~120s,得到核壳结构n‑二氧化钛@p‑钛酸钴纳米晶薄膜;步骤(1)中CoTiO3靶溅射的法线方向与基片法线的夹角为0°~90°;步骤(1)中CoTiO3靶和基片的距离在1cm~7cm;步骤(2)和步骤(3)中CoTiO3靶的靶电源功率均为100W~400W;步骤(4)中溅射之前,调节TiO2靶材和基片之间的距离为3~7cm;步骤(4)中TiO2靶材的靶电源功率为50W~200W。
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