[发明专利]一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710483098.4 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107311682B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;廖家豪 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种SiC纳米线增强C |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 增强 cf 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料，由碳纤维编织体、热解碳界面层、原位生长SiC纳米线和SiC基体组成，其特征在于所述的热解碳界面层包覆在碳纤维表面，厚度为0.1～0.2μm；所述的热解碳界面层也包覆在SiC纳米线表面，厚度为0.02～0.04μm；所述的的SiC纳米线直径为20～150nm，纳米线数量比为20～50％的SiC纳米线两端粘结在碳纤维的热解碳表面上，数量比为10～30％的SiC纳米线一端粘结在碳纤维的热解碳表面上；SiC基体填充在碳纤维和SiC纳米线之间的空隙中；所述的复合材料体积密度大于1.8g/cm3，开口孔隙率小于10％。
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