[发明专利]复合介质层数字微流控芯片及其制备方法在审
申请号: | 201710483950.8 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN109107619A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 王伟强;牛嘉琦 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红;朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合介质层数字微流控芯片及其制备方法,所述芯片包括上基板和下基板,上基板由上基底以及上基底上的接地电极和所述接地电极上方的疏水层构成;下基板由下基底以及下基底上的驱动电极和所述驱动电极上方的高介电常数纳米颗粒/特氟龙复合薄膜构成。本发明采用高介电常数纳米颗粒/特氟龙复合薄膜作为数字微流控器件中的介质层,兼具介质层和疏水层的功能,同时起到绝缘和疏水的作用,且可以显著降低数字微流控芯片的驱动电压和制备工艺的复杂度。 | ||
搜索关键词: | 基底 微流控芯片 复合介质层 高介电常数 复合薄膜 接地电极 纳米颗粒 驱动电极 介质层 上基板 疏水层 特氟龙 下基板 制备 数字微流控器件 驱动电压 制备工艺 复杂度 疏水 绝缘 芯片 | ||
【主权项】:
1.复合介质层数字微流控芯片,包括上基板和下基板,其特征在于,所述上基板由上基底以及上基底上的接地电极和所述接地电极上方的疏水层构成;所述下基板由下基底以及下基底上的驱动电极和所述驱动电极上方的高介电常数纳米颗粒/特氟龙复合薄膜构成。
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