[发明专利]半导体结构及其形成方法、测量电阻的方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法、测量电阻的方法，其中测量电阻的方法包括：对相邻测试源漏掺杂区之间的测试栅极结构施加开启电压，开启所述测试栅极结构下方的沟道；使部分测试源漏插塞中具有第一测试电流，多个测试源漏插塞中具有第一插塞和第二插塞，所述第一插塞中具有第一测试电流，且所述第一测试电流不流经所述第二插塞以及所述第一插塞和第二插塞之间的栅极结构下方沟道；获取第一插塞与第二插塞之间的测试电压；通过所述第一测试电流与所述测试电压获取所述器件区的器件外部电阻。其中，能够通过所述第一测试电流和测试电压获取外部电阻，且能够增加测量精度。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括器件区和测试区；位于所述器件区衬底上的多个分立的器件栅极结构，位于相邻器件栅极结构之间的器件源漏掺杂区；连接所述器件源漏掺杂区的器件源漏插塞；位于所述测试区衬底上的多个分立的测试栅极结构；位于相邻测试栅极结构之间衬底中的测试源漏掺杂区，所述测试源漏掺杂区的个数大于2；连接所述测试源漏掺杂区的测试源漏插塞，所述测试源漏插塞沿垂直于所述测试栅极结构侧壁方向上的尺寸与器件源漏插塞沿垂直于所述器件栅极结构侧壁方向上的尺寸相等。