[发明专利]一种同轴线/双脊波导复合魔T在审
申请号: | 201710486151.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107317084A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 詹明周;何望栋;李宁晓;刘珂玮;杨涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P5/20 | 分类号: | H01P5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于微波/毫米波频率超宽带大功率同轴‑双脊波导复合魔T结构。该同轴‑双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口两合成臂和E臂、一个同轴端口H臂,以及魔T内匹配结构矩形金属谐振片。当魔T中两合成臂端口输入等幅反相的信号时,这两路信号经过魔T中的匹配结构,最后在E臂端口合为一路信号输出,H臂为隔离端口。该发明在H臂使用同轴端口,好处是可以减小魔T体积、增加E—H臂隔离度;两合成臂端口设计成渐变脊波导形式,用来增加魔T带宽、减小信号反射;魔T内的矩形金属膜片可以使功分、匹配一体化,也能降低加工装配难度。该结构尤其适用于微波/毫米波超宽带大功率合成领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 同轴线 波导 复合 | ||
【主权项】:
基于同轴‑双脊波导复合魔T的功率合成/分配器,所述同轴‑双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口:魔T中两个合成臂端口(102)、(103)以及一个E臂端口(104),一个同轴端口:魔T中H臂端口(101),以及魔T内匹配结构(301)。
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