[发明专利]一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统有效
| 申请号： | 201710486211.4 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107516672B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 沈进 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统，AlGaN/GaN HEMT的栅电极采用双层Ni/Mo/Ti/Pt/Y/Ti结构的肖特基接触系统，且第二层Ni/Mo/X/Y/Ti宽度大于第一层Ni/Mo/X/Y/Ti宽度；肖特基接触系统采用蒸发的方法在AlGaN势垒层的表面依次淀积Ni、Mo、X、Y、Ti、Ni、Mo、X、Y、Ti形成栅电极，其中，X金属层为Ti或Ti/Pt或Ti/Pt/Ti/Pt或Ti/Mo/Ti/Mo；Y金属层为Au或Al或Cu或Au/Pt/Au或Al/Pt/Al或Cu/Pt/Cu。本发明制得肖特基接触系统与传统的肖特基接触系统相比，具有更小的热胀系数及更低热导率，在器件工作时使得其中的金属层具有比外延层更低的温度，从而规避其热胀因素对器件性能与可靠性的影响，同时还降低了栅阻，提升器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 氮化 电子 迁移率 晶体管 肖特基 接触 系统 | ||
【主权项】：
一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统，其特征在于：铝镓氮（AlGaN）/氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电极所采用的肖特基接触系统包括第一Ni/Mo/X/Y/Ti多层金属体系和形成在第一Ni/Mo/X/Y/Ti多层金属体系上的第二Ni/Mo/X/Y/Ti多层金属体系，且第二Ni/Mo/X/Y/Ti多层金属体系宽度大于第一Ni/Mo/X/Y/Ti多层金属体系宽度；其中，所述X金属层为Ti或Ti/Pt或Ti/Pt/Ti/Pt或Ti/Mo/Ti/Mo；所述Y金属层为Au或Al或Cu或Au/Pt/Au或Al/Pt/Al或Cu/Pt/Cu。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710486211.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种海鲜菌菇液体菌种专用接种枪
- 下一篇：一种旋转伸缩式园林枝叶锯割工具
- 同类专利
- 专利分类
