[发明专利]一种高压低损耗陶瓷电容器介质及其制备方法在审
| 申请号： | 201710487075.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107285762A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈映义;牛继恩;曹彦运;陈应和;王新婷 | 申请（专利权）人： | 汕头市瑞升电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司44230 | 代理人： | 林天普,俞诗永 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市金*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压低损耗陶瓷电容器介质，由下述重量配比的原料制成BaTiO355‑90%，SrTiO32‑25%，CoNb2O62‑15%，Bi2(SnO3)30.05‑10%，MnNb2O60.03‑1.0%,ZnO 0.1‑1.5%，MnO20.03‑1.0%。本发明还提供上述高压低损耗陶瓷电容器介质的一种制备方法。本发明的高压低损耗陶瓷电容器介质介电常数高、耐电压高且介质损耗小，在制备和使用过程中不污染环境，并且能够在较低温度下烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压低 损耗 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压低损耗陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量配比的原料制成： BaTiO3 55‑90%，SrTiO3 2‑25%，CoNb2O6 2‑15%，Bi2(SnO3)3 0.05‑10%，MnNb2O6 0.03‑1.0%, ZnO 0.1‑1.5%，MnO2 0.03‑1.0%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汕头市瑞升电子有限公司，未经汕头市瑞升电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710487075.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
