[发明专利]与光波导集成的二氧化硅微透镜的制作方法有效
申请号: | 201710487138.2 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107247314B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 孙冰丽;张家顺;安俊明;王亮亮;钟飞;常夏森 | 申请(专利权)人: | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/124;G02B6/13 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 张绍琳;谢萍 |
地址: | 458030 河南省鹤*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种与光波导集成的二氧化硅微透镜的制作方法,步骤如下:S1,确定微透镜的尺寸;S2,制作微透镜掩膜版;S3,制作PLC型光分路器或阵列波导光栅;S4,ICP深刻蚀做出一个凹槽;S5,生长掺锗的SiO2透镜层;S6,微透镜;S7,刻蚀的透镜进行镀膜。本发明将光波导和微透镜的制作融合在一起,直接在制作的光波导的合适位置制作出微透镜,不需要再进行贴装,即使多通道,也不会增加制作成本或者延长生产周期。采用一体刻蚀避免了由于贴装误差造成系统总的耦合效率降低的发生,提高了系统总的耦合效率和产品的成品率。 | ||
搜索关键词: | 波导 集成 二氧化硅 透镜 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种与光波导集成的二氧化硅微透镜的制造方法,其特征在于,步骤如下:S1,确定微透镜的透镜高度H、透镜前表面曲率半径R1、透镜后表面曲率半径R2和透镜中心厚度T;S2,根据步骤S1制作微透镜掩膜版;S3,制作PLC型光分路器或阵列波导光栅芯片;S4,在制作的PLC型光分路器或阵列波导光栅芯片需要制作微透镜的地方,利用ICP深刻蚀做出一个凹槽,凹槽深度为20‑30μm,凹槽宽度比透镜中心厚度T宽5‑10μm;S5,使用PECVD方法在PLC型光分路器或阵列波导光栅芯片的表面生长掺锗的SiO2透镜层;S6,利用步骤S2中的透镜掩膜版,并使用感应耦合等离子体ICP对步骤S5的掺锗的SiO2透镜层进行刻蚀,形成微透镜;S7,采用PECVD对刻蚀的透镜进行镀膜,镀膜材料为氟化镁。
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