[发明专利]太阳能电池结构及其制造方法在审
申请号: | 201710487328.4 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN109119491A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 田伟辰;叶昌鑫;吴春森 | 申请(专利权)人: | 财团法人金属工业研究发展中心 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾高雄市楠*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池结构及其制造方法。此太阳能电池结构包含硅基板、第一钝化结构、以及第二钝化结构。硅基板具有相对的第一表面与第二表面。第一钝化结构覆盖在硅基板的第一表面上。第一钝化结构包含依序堆叠在第一表面上的第一非晶二氧化硅钝化层以及第一本征型非晶硅钝化层。第二钝化结构覆盖在硅基板的第二表面上。第二钝化结构包含依序堆叠在第二表面上的第二非晶二氧化硅钝化层以及第二本征型非晶硅钝化层。非晶二氧化硅钝化层可有效钝化硅基板的表面,解决硅基板介面缺陷的问题,而本征型非晶硅钝化层能隙较小且阻抗较低,可提升双层钝化层结构的载子传导效率,故可有效提升太阳能电池的开路电压和太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 钝化结构 钝化层 硅基板 太阳能电池结构 非晶二氧化硅 第二表面 第一表面 本征型 非晶硅 太阳能电池 依序堆叠 光电转换效率 传导效率 开路电压 双层钝化 有效钝化 层结构 介面 能隙 阻抗 覆盖 制造 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池结构,其特征在于,包含:硅基板,具有相对的第一表面与第二表面;第一钝化结构,覆盖在所述第一表面上,其中所述第一钝化结构包含依序堆叠在所述第一表面上的第一非晶二氧化硅钝化层以及第一本征型非晶硅钝化层;以及第二钝化结构,覆盖在所述第二表面上,其中所述第二钝化结构包含依序堆叠在所述第二表面上的第二非晶二氧化硅钝化层以及第二本征型非晶硅钝化层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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