[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710488429.3 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107316895A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层，所述介质层材质为氧化铪；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极、栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；其中，所述栅极呈倒梯形；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅；还包括设置于所述绝缘层上的场板金属层，所述场板金属层贯穿所述绝缘层与所述源极连接；还包括设置在所述介质层上的若干个浮空场板，所述浮空场板贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶相技术有限公司，未经深圳市晶相技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710488429.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
