[发明专利]一种SAR型ADC的高精度校准装置有效

专利信息
申请号: 201710488915.5 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN107346975B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 李婷;郭仲杰 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10;H03M1/46
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种SAR型ADC的高精度校准装置,包括比较器,比较器的负向输入端和正向输入端之间一次连接有高位电容阵列和低位电容阵列;高位电容阵列与高位和偏移误差校准模块连接,低位电容阵列与低位和桥接电容校准模块连接;高位电容阵列和低位电容阵列通过开关阵列控制与数字控制逻辑的导通;其中开关阵列通过refp/refn方式连接;所述高位和偏移误差校准模块包括第一增益电容,便宜误差校准与多个高位电容校准并联,第一增益电容与其连接;所述低位和桥接电容校准模块包括第二增益电容,第二增益电容余低位校准单元连接。能够对电容的匹配性误差、寄生电容引入的误差以及桥接电容的精度误差进行全方位校准,大幅度提高了ADC的整体转换精度。
搜索关键词: 一种 sar adc 高精度 校准 装置
【主权项】:
一种SAR型ADC的高精度校准装置,其特征在于,包括比较器(1),比较器(1)的负向输入端和正向输入端之间一次连接有高位电容阵列(6)和低位电容阵列(5);高位电容阵列(6)与高位和偏移误差校准模块(3)连接,低位电容阵列(5)与低位和桥接电容校准模块(2)连接;高位电容阵列(6)和低位电容阵列(5)通过开关阵列(7)控制与数字控制逻辑(17)的导通;其中开关阵列(7)通过refp/refn方式连接;所述高位和偏移误差校准模块(3)包括第一增益电容(8),便宜误差校准(9)与多个高位电容校准并联,第一增益电容(8)与其连接;所述低位和桥接电容校准模块(2)包括第二增益电容(17),第二增益电容(17)余低位校准单元(18)连接。
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