[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710488976.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107248526B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层，所述复合介质层材质为氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；其中，所述栅极贯穿所述复合介质层、并伸入所述氮化镓外延层中；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅；还包括设置于所述绝缘层上的场板金属层，所述场板金属层贯穿所述绝缘层与所述源极连接。
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