[发明专利]一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710491081.3 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN108206070B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 林智杰;林锦新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法，所述导电薄膜包括透明基底和覆盖其上的透明氧化物层，以及在所述透明氧化物层上的晶界处形成的金属网格；所述透明导电薄膜兼具氧化物透明导电薄膜和金属网格透明导电薄膜的优势，具有可挠曲、导电率高、透过率高和制备工艺简单等优势，所述透明导电薄膜的方阻为0.1～200Ω/sq，所述透明导电薄膜的透过率为20‑80％。本发明的制备方法采用晶界印刷法在透明氧化物层的晶界处形成金属网格，制备工艺简单，工艺环保，原料利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电薄膜 晶界 透明氧化物层 金属网格 制备工艺 透过率 薄膜 氧化物透明导电薄膜 原料利用率 印刷 导电薄膜 导电率 可挠曲 印刷法 方阻 基底 制备 透明 覆盖 环保 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括透明基底和在其上的透明氧化物层，以及在所述透明氧化物层上的晶界处形成的金属网格；所述透明导电薄膜是采用晶界印刷法制备的，具体地，所述制备方法包括以下步骤：步骤1：在透明基板上沉积透明氧化物薄膜；步骤2：用腐蚀液对步骤1的透明氧化物薄膜进行晶界腐刻；步骤3：将金属墨水置于步骤2的腐刻后的透明氧化物薄膜上，加热，制备得到透明导电薄膜。
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