[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，形成第二隔离层和第一隔离层，在所述第一隔离层的侧壁形成第一侧墙；在所述第一侧墙外侧形成源区和漏区；去除伪栅极结构，在所述介质结构内形成第一开口，在第一开口内填充栅极结构。所述形成方法防止栅极与位于第一侧墙外侧的源区或漏区之间短路，从而提高半导体结构的生产良率和器件可靠性。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述衬底上具有覆盖所述鳍部的部分侧壁的初始隔离层；形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构位于部分初始隔离层上且覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；刻蚀所述伪栅极结构周围的初始隔离层，形成第二隔离层和位于所述第二隔离层上的第一隔离层，且所述第一隔离层位于所述伪栅极结构的底部；形成覆盖所述第一隔离层侧壁的第一侧墙；在所述伪栅极结构两侧的鳍部内分别形成源区和漏区；在所述第二隔离层、源区和漏区上形成介质结构，所述介质结构暴露出所述伪栅极结构的顶部表面；去除所述伪栅极结构，在所述介质结构内形成第一开口；在所述第一开口内填充栅极结构。