[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710493238.6 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108231873B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 廖宇鸿;潘正圣;樊圣亭;李敏鸿;刘致为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包含源极与漏极、设置于源极与漏极之间的通道、设置在通道上的第一栅极介电层、设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极、设置在第一栅极电极上的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上的第二栅极电极。第二栅极介电层是由铁电材料所制成。第一栅极电极的底表面的第一面积大于第二栅极介电层的底表面的第二面积，其中第一栅极电极的底表面与第一栅极介电层接触，而第二栅极介电层的底表面与第一栅极电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一源极与一漏极，以及设置于该源极与该漏极之间的一通道；一第一栅极介电层，设置在该通道上；一第一栅极电极，设置在该第一栅极介电层上；一第二栅极介电层，设置在该第一栅极电极上；以及一第二栅极电极，设置在该第二栅极介电层上，其中该第二栅极介电层是由一铁电材料所制成，且该第一栅极电极的一底表面的一第一面积大于该第二栅极介电层的一底表面的一第二面积，其中该第一栅极电极的该底表面与该第一栅极介电层接触，而该第二栅极介电层的该底表面与该第一栅极电极接触。
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