[发明专利]一种金属连线电阻测试结构及方法在审
申请号: | 201710493320.9 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN109148314A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 艾占臣 | 申请(专利权)人: | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种测量金属互连线厚度和宽度的测试结构和方法,该测试结构包括栅栏型和蜿蜒状的金属互连线结构,通过测量栅栏型和蜿蜒状结构的电阻来提取金属互连线的等效厚度和宽度。 | ||
搜索关键词: | 金属互连线 测试结构 栅栏型 电阻测试结构 蜿蜒状结构 测量金属 金属连线 互连线 蜿蜒状 电阻 测量 | ||
【主权项】:
1.一种金属互连线厚度和宽度的测试结构,其特征在于,包含栅栏状金属互连线结构(11)、其他互连线部分(12)、(13)和(14)、金属互连线测试端(15)、(16)和(17);可选的,其他互连线部分(12)、(13)、(14)可以有一个或多个采用蜿蜒状互连线结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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