[发明专利]一种基于多金属氧酸盐的阻变式存储器及其制备方法在审
申请号: | 201710493811.3 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107342360A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 周晔;陈晓丽;韩素婷 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人: | 王永文,刘文求 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种基于多金属氧酸盐的阻变式存储器及其制备方法,其中,包括柔性基底以及从下至上依次设置在所述柔性基底上的底电极、第一聚合物层、多金属氧酸盐层、第二聚合物层和顶电极;所述第一聚合物层和第二聚合物层可将多金属氧酸盐层保护起来从而阻止多金属氧酸盐层与空气中的水氧接触,直接提高器件的稳定性;通过简单的调节多金属盐酸层的尺寸和厚度可实现存储器的电学性能和存储性能可控;进一步,所述聚合物层与多金属氧酸盐结合具有极好的柔性性能,可实现器件的高机械性;本发明提供的基于多金属氧酸盐的阻变式存储器具有易调控、高机械性能、大开关比、高稳定性等性能优点,能够广泛应用于经济、社会发展和国家安全等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 氧酸盐 阻变式 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于多金属氧酸盐的阻变式存储器,其特征在于,包括柔性基底以及从下至上依次设置在所述柔性基底上的底电极、第一聚合物层、多金属氧酸盐层、第二聚合物层和顶电极。
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