[发明专利]介质膜层的应力检测方法及应力检测系统有效
| 申请号： | 201710493836.3 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119351B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 马振国 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01L5/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介质膜层的应力检测方法，其特征在于，所述应力检测方法包括：在至少一片晶片上沉积形成初始参考有机膜；对形成有所述初始参考有机膜的晶片进行预热处理，获得最终参考有机膜；检测所述最终参考有机膜的第一曲率半径；在所述最终参考有机膜上形成所述介质膜层；测量形成有所述介质膜层的最终参考有机膜层的第二曲率半径；根据同一个晶片上的测得的所述第一曲率半径和所述第二曲率半径计算反应该晶片上的介质膜层的应力的参数。本发明还提供一种介质膜层的应力检测系统。利用所述应力检测方法可以精确地检测介质膜层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 应力 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种介质膜层的应力检测方法，其特征在于，所述应力检测方法包括：在至少一片晶片上沉积形成初始参考有机膜；对形成有所述初始参考有机膜的晶片进行预热处理，获得最终参考有机膜；检测所述最终参考有机膜的第一曲率半径；在所述最终参考有机膜上形成所述介质膜层；测量形成有所述介质膜层的最终参考有机膜层的第二曲率半径；根据同一个晶片上的测得的所述第一曲率半径和所述第二曲率半径计算反应该晶片上的介质膜层的应力的参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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