[发明专利]一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体有效
| 申请号： | 201710494746.6 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107287657B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王海丽;陈建荣;黄存新;杨春和;韩加红 | 申请（专利权）人： | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;王文红 |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，包括以下操作：将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大。利用本发明提出的生长方法，坩埚不动，靠炉体的移动实现晶体生长，可有效避免传统LaBr3:Ce闪烁晶体生长方法中因引下装置的微小振动对晶体生长干扰而引入的包裹体、气泡等杂质，可显著提高晶体的光学质量，特别适合大尺寸、高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溴化镧 闪烁 晶体 生长 方法 所得 | ||
【主权项】：
1.一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，其特征在于，包括以下操作：将原料装入坩埚内，坩埚封口后放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大；其中，将坩埚放置于两段控温下降炉的上温区，上温区的温度升至850～880℃，下温区的温度升至720～780℃，恒温10～24h，使原料完全熔化；所述炉体以500～5000mm/h的速度上升至坩埚底位于梯度区，然后以0.5～3mm/h的速度向上移动炉体，进行晶体生长；晶体生长结束后，停止移动炉体，在低温区原位退火10～20h后，以15～50℃/h的速度降至室温，取出晶体；所述原料为溴化镧和掺杂的盐，所述掺杂的盐为溴化铈、氯化铈、氟化铈中的一种，溴化镧和掺杂的盐的摩尔比例为100‑x：x。
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