[发明专利]一种获取半导体材料辐射后载流子浓度重分布的方法在审
| 申请号： | 201710494923.0 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107490753A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 黄文超;黄一凡;杨生胜;秦晓刚;王俊;郭睿;张剑锋;冯展祖;田海 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人： | 温子云,仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获取半导体材料辐射后载流子浓度重分布的方法，首先非破坏性的测量半导体横截面的局域电导分布；基于程序语言建立半导体材料扫描分布电导测量过程的模型；利用模型计算获得半导体材料的肖特基电流分布曲线α；通过不断调整模型中的电导分布参数，使得肖特基电流分布曲线α对应的电导分布曲线与实际测量电导分布曲线β之间相对误差极小；依据步骤三确定的最终肖特基电流分布曲线α，推导出各数据点的载流子浓度数值，进而获取了半导体材料中载流子浓度的分布。使用本发明能够以非破坏性的方式，使得载流子浓度重分布结果的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 半导体材料 辐射 载流子 浓度 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种获取半导体材料辐射后载流子浓度重分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、首先非破坏性的测量半导体横截面的局域电导分布；步骤二、基于程序语言建立半导体材料扫描分布电导测量过程的模型；步骤三、利用模型计算获得半导体材料的肖特基电流分布曲线α；步骤四、通过不断调整模型中的电导分布参数，使得肖特基电流分布曲线α对应的电导分布曲线与实际测量电导分布曲线β之间相对误差极小；步骤五、依据步骤三确定的最终肖特基电流分布曲线α，推导出各数据点的载流子浓度数值，进而获取了半导体材料中载流子浓度的分布。
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