[发明专利]一种金刚石辐射探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710495046.9 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119499B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 戴丹;林正得;江南;刘颖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/08;H01L31/118;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 刘妍珺;陆凤 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金刚石辐射探测器及其制备方法。具体地，在本发明中，所述金刚石辐射探测器具有优异的欧姆接触性能和X射线响应灵敏度。所述方法具有工艺简单、成本低、易于操作等特点，以所述方法可快速高效地制备石墨烯层和金刚石基材结合性能优异的石墨烯－金刚石异质结构，从而制备所述石墨烯－金刚石探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 辐射 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯－金刚石探测器，其特征在于，所述探测器包含石墨烯－金刚石异质结构和用于封装所述石墨烯－金刚石异质结构的外壳。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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