[发明专利]一种三通道电压反馈式VDMOS器件单粒子效应高精度检测装置有效
申请号: | 201710495049.2 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107356856B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 李晓亮;罗磊;梅博;张洪伟;苏妤 | 申请(专利权)人: | 中国空间技术研究院 |
主分类号: | G01R31/265 | 分类号: | G01R31/265 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 100194 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种三通道电压反馈式VDMOS器件单粒子效应高精度检测装置,包括主控模块、通信模块、数据采集模块、电源模块、矩阵开关模块、试验子板群模块;本发明兼具数据采集记录和图像显示功能,能够有效、直观检测垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管单粒子栅穿与单粒子烧毁现象,同时结合非结构化数据保存功能,提供足量数据进行试验分析。试验子板群兼容各类封装形式试验器件,且系统具有多通道巡检功能,可实现三只器件同步开展试验,缩减试验成本。本发明系统组成简单,通用性强、检测精度高,具有工程化特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 通道 电压 反馈 vdmos 器件 粒子 效应 高精度 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种三通道电压反馈式VDMOS器件单粒子效应高精度检测装置,其特征在于:包括主控模块,通信协议模块、数据采集模块、电源模块、矩阵开关模块、试验子板群模块;主控模块发送电源控制指令、通道选择指令至通信协议模块,接收数据采集模块发送的VDMOS器件的栅源电流、漏源电流信息、实际工作电压信息,并对VDMOS器件的实际工作电压信息、栅源电流、漏源电流信息进行存储和实时数据显示;通信协议模块将主控模块发送的电源控制指令、通道选择指令分别发送至电源模块、矩阵开关模块;矩阵开关模块接收通信协议模块发送的通道选择指令,控制矩阵开关中相应的通道闭合,将电压信号传递至试验子板群模块,控制试验子板群模块中VDMOS器件处于栅偏或漏偏状态;电源模块接收通信协议模块发送的电源控制指令,根据主控模块中的设定电压值输出相应的电压信号至矩阵开关模块;电源模块采集试验子板群模块中各VDMOS器件的实际工作电压,并将各VDMOS器件的实际工作电压信息反馈至数据采集模块;数据采集模块采集试验子板群模块中各VDMOS器件的栅源电流、漏源电流信息、实际工作电压信息发送至主控模块;试验子板群模块搭载VDMOS器件,为VDMOS器件提供电压。
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