[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成超晶格结构分解层，所述超晶格结构分解层中至少包括镓元素；3）于步骤2）得到的结构的上表面形成图形化掩膜层；4）将步骤3）得到的结构进行处理，使所述超晶格结构分解层分解重构以得到分解重构叠层；5）于步骤4）得到的结构的上表面形成缓冲层。本发明制备的半导体结构在用于氮化镓生长时，分解重构叠层中的氮化镓晶种层可以为后续氮化镓的生长提供晶种，而重构分解层内部的孔洞不仅有利于后续生长的氮化镓的自剥离，还可以减少后续生长的氮化镓晶格间的应力，可以提高氮化镓的生长质量。

主权项

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1)提供衬底；2)于所述衬底的上表面形成超晶格结构分解层，所述超晶格结构分解层中至少包括镓元素；3)于所述超晶格结构分解层的上表面形成图形化掩膜层；所述图形化掩膜层内形成有若干个开口，所述开口暴露出部分所述超晶格结构分解层；4)将步骤3)得到的结构置于含氮气氛下进行处理，使所述超晶格结构分解层分解重构以得到分解重构叠层，其中，所述分解重构叠层包括内部形成若干个孔洞的重构分解层及位于所述开口暴露出的所述重构分解层上表面的氮化镓晶种层；具体包括如下步骤：4‑1)将步骤3)得到的结构置于反应装置中；4‑2)向所述反应装置内通入氨气或氨气与载气的混合物；4‑3)将步骤3)得到的结构加热至处理温度进行处理；5)于步骤4)得到的结构上表面形成缓冲层。