[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法有效
| 申请号： | 201710495292.4 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107123589B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王颖慧;罗晓菊 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成超晶格结构分解层，所述超晶格结构分解层中至少包括镓元素；3）于所述超晶格结构分解层的上表面形成图形化掩膜层；4）将步骤3）得到的结构进行处理，使所述超晶格结构分解层分解重构以得到分解重构叠层。本发明的半导体结构的制备方法制备的半导体结构在用于氮化镓生长时，分解重构叠层中的氮化镓晶种层可以为后续氮化镓的生长提供晶种，而重构分解层内部的孔洞不仅有利于后续生长的氮化镓的自剥离，还可以减少后续生长的氮化镓晶格间的应力，可以提高氮化镓的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 支撑 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：/n1）提供衬底；/n2）于所述衬底的上表面形成超晶格结构分解层，所述超晶格结构分解层中至少包括镓元素；/n3）于所述超晶格结构分解层的上表面形成图形化掩膜层；所述图形化掩膜层内形成有若干个开口，所述开口暴露出部分所述超晶格结构分解层；/n4）将步骤3）得到的结构置于含氮气氛下进行处理，使所述超晶格结构分解层分解重构以得到分解重构叠层，其中，所述分解重构叠层包括内部形成若干个孔洞的重构分解层及位于所述开口暴露出的所述重构分解层上表面的氮化镓晶种层；所述处理包括：/n4-1）将步骤3）得到的结构置于反应装置中；/n4-2）向所述反应装置内通入氨气或氨气与载气的混合物；/n4-3）将步骤3）得到的结构加热至处理温度进行处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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