[发明专利]供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源

摘要

本申请涉及供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源。改进的阴极电弧源和DLC膜沉积方法，其中在圆柱形石墨空腔内部产生定向喷射的含碳等离子体流，所述空腔的深度约等于阴极直径。所产生的碳等离子体膨胀通过孔口进入周围真空中，引起等离子体流发生强烈的自收缩。所述方法代表了一种重复工艺，其包括两个步骤：上述等离子体产生/沉积步骤和与之交替的回收步骤。这个步骤可以通过使空腔内部的阴极棒向孔口方向移动来定期除去腔壁上所积聚的过量碳。所述阴极棒伸出而高于所述孔口，且移回到初始阴极尖端位置。所述步骤可以定期再现直到膜沉积至目标厚度为止。技术优点包括膜硬度、密度和透明度改进、再现性高、持续操作时间长和微粒减少。

主权项

一种沉积类金刚石碳膜的方法，所述方法包含：通过圆柱形阴极电弧源产生定向喷射的含碳等离子体流，所述圆柱形阴极电弧源包含：圆柱形石墨阴极和由多个间隔挡板形成的阳极，其中所述圆柱形石墨阴极棒和所述阳极是通过屏蔽件来隔开，所述屏蔽件进一步包括绝缘体管，所述管内部具有薄壁石墨衬套；继所述阴极电弧源之后的弯曲螺线管磁过滤器；通过所述屏蔽件从阴极顶表面延伸而形成的石墨空腔，从而产生半围束空间，其具有形状与所述阴极顶表面相同的空腔孔口。