[发明专利]一种研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法有效
| 申请号： | 201710495696.3 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107263301B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 谢宇 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B1/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种研磨‑化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，所述方法至少包括对所述氮化镓晶圆片的镓面进行处理的步骤：首先将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，镓面面向研磨头；然后利用XRD测量方法确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，将具有一定目数的研磨头与所述研磨基面平行并压覆于所述镓面上，在研磨液作用下将所述镓面研磨至第一粗糙度；接着更换研磨头至更高目数，重复上一步骤直至将所述镓面研磨至第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；最后将所述氮化镓晶圆片固定于化学机械抛光平台上，将所述镓面抛光至符合工艺要求的表面粗糙度。通过本发明的方法为直接研磨方式，简化了工艺步骤，降低物料消耗，缩短工艺时间，降低破损率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 化学 机械抛光 氮化 镓晶圆片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨‑化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于，所述方法至少包括对所述氮化镓晶圆片的镓面进行处理的步骤，包括：1)将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，所述镓面面向研磨头；2)利用XRD测量方法确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，将具有一定目数的研磨头与所述研磨基面平行并压覆于所述氮化镓晶圆片的镓面上，在研磨液作用下将所述镓面研磨至第一粗糙度，其中，所述研磨头以与所述研磨平台相反的方向高速旋转，所述第一粗糙度不超过10微米；3)更换研磨头至更高目数，重复步骤2)直至将所述镓面研磨至第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度，所述第二粗糙度不超过5nm；4)将所述氮化镓晶圆片固定于化学机械抛光平台上，将所述氮化镓晶圆片的镓面抛光至符合工艺要求的表面粗糙度。
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