[发明专利]多晶硅片生产工艺在审
| 申请号： | 201710496573.1 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107162002A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张兆民 | 申请（专利权）人： | 张兆民 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域，特别是一种多晶硅片生产工艺，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)去除杂质，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(4)硅锭二次凝固，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；(5)二次去杂，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(6)多晶硅生成，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；(7)切片，将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。采用上述工艺后，本发明极大的去除了多晶硅中的杂质；另外，在去除硼杂质的过程中逐步升温，有效提升了去除硼杂质的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅片 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)去除杂质，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(4)硅锭二次凝固，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；(5)二次去杂，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(6)多晶硅生成，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；(7)切片，将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。
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