[发明专利]研磨装置、研磨方法、及研磨控制程序在审
| 申请号： | 201710498753.3 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107538338A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 中村显 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/34;H01L21/304;B24B49/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟,沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供研磨装置、研磨方法、及研磨控制程序，能够修正因处理系统等的延迟时间导致的测定误差，并推定与当前膜厚相当的数据。研磨部(30)进行半导体晶片(18)的研磨。涡电流传感器(50)在多个测定时刻测定能够根据半导体晶片(18)的膜厚的变化而变化的涡电流。传感器处理部(28)根据涡电流传感器(50)所测定出的涡电流，算出测定时刻下的半导体晶片(18)的膜厚。膜厚预测部(32)使用被算出的膜厚，预测从测定时刻经过处理延迟时间之后的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 装置 方法 控制程序 | ||
【主权项】：
一种研磨装置，对研磨对象物进行研磨，其特征在于，具有：研磨部，其进行所述研磨对象物的研磨；测定部，其在多个测定时刻测定能够根据所述研磨对象物的膜厚变化而变化的物理量；膜厚算出部，其根据所述测定部所测定出的所述物理量，算出所述测定时刻下的与所述研磨对象物的膜厚相当的数据；及膜厚预测部，其使用被算出的所述数据，针对所述测定时刻中的至少一部分的测定时刻，预测从该测定时刻经过处理延迟时间之后的所述数据。
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