[发明专利]一种多频段探测的量子阱探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多频段探测的量子阱探测器及其制造方法，所述探测器包括衬底、反射层、反射腔室、固体填充层、谐振腔、N个量子阱单元以及位于每个量子阱单元上的上电极和下电极，所述固体填充层沉积在衬底上方，所述N个量子阱单元位于所述固体填充层之上，所述量子阱单元包括能障层和能阱层，且至少有两个量子阱单元中的能阱层不同，所述反射层和对应的量子阱单元之间的固体填充层为该量子阱单元对应的谐振腔，且所述谐振腔的高度为入射到其正上方的量子阱单元中的入射光波长的1/4。本发明提供的一种多频段探测的量子阱探测器，可以同时实现多频段红外光的探测，也可以提高入射光吸收率。

主权项

1.一种多频段探测的量子阱探测器，其特征在于，包括衬底、反射层、反射腔室、固体填充层、谐振腔、N个量子阱单元以及位于每个量子阱单元上的上电极和下电极，所述固体填充层沉积在衬底上方，所述N个量子阱单元位于所述固体填充层之上，且每个量子阱单元的最上层连接上电极，最下层连接下电极，所述量子阱单元包括能障层和能阱层，且至少有两个量子阱单元中的能阱层不同，所述衬底中含有N个贯穿衬底上下的反射腔室，分别位于N个量子阱单元的正下方，所述反射腔室中沉积反射层，使得所述反射层从背面被沉积在固体填充层上，所述反射层和对应的量子阱单元之间的固体填充层为该量子阱单元对应的谐振腔，且所述谐振腔的高度为入射到其正上方的量子阱单元中的入射光波长的1/4，N为大于等于2的整数。