[发明专利]一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、下电极，下电极欧姆接触层和绝缘层，所述硅衬底表面为三角形凹槽，所述量子阱单元沉积在所述硅衬底表面上，所述上电极通过上电极欧姆接触层和量子阱单元的最上层连接，所述下电极通过下电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接，且所述下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过所述绝缘层进行隔离其中，欧姆接触层通过离子注入方式形成。本发明提供的量子阱红外探测器表面为三角形凹槽，使得入射到三角形凹槽其中一个面上的红外光被反射至另外一个面吸收，提高了红外光的吸收效率。

主权项

1.一种制作提高光吸收率的量子阱红外探测器的方法，其特征在于，步骤如下：/nS01：在硅衬底表面上生长一层绝缘层；/nS02：以绝缘层为掩膜，将硅衬底放入碱性溶液中刻蚀，形成表面具有三角形凹槽的硅衬底，去除下电极所在位置以外的绝缘层；/nS03：采用外延生长法在含有三角形凹槽的硅衬底表面生长量子阱单元；/nS04：在量子阱单元的最上层边缘生长上电极，对位于上电极正下方的量子阱单元的最上层区域进行离子注入形成上电极欧姆接触层；/nS05：刻蚀绝缘层上方的量子阱单元，停止于绝缘层，形成凹槽，并且凹槽的横截面积小于绝缘层的横截面积，先在位于量子阱单元最下层以上的凹槽四周沉积绝缘层，再在凹槽中填充下电极，对下电极与量子阱单元最下层的接触区域进行离子注入，形成下电极欧姆接触层，其中，下电极通过下电极欧姆接触层与量子阱单元的最下层连接，下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过绝缘层进行隔离。/n