[发明专利]制造声波装置的方法和声波装置有效
| 申请号： | 201710499132.7 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107547060B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 中村健太郎;松仓史弥;高桥直树;松田隆志;宫下勉 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造声波装置的方法和声波装置。一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 声波 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造声波装置的方法，所述方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到所述梳状电极的布线层；在所述压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比所述梳状电极和所述布线层的厚度大的膜厚度，覆盖所述梳状电极和所述布线层，所述第一电介质膜由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在所述第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在所述布线层上方具有第一开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由所述第二电介质膜的所述第一开口露出的所述第一电介质膜，该蚀刻液使得所述第二电介质膜的蚀刻速率小于所述第一电介质膜的蚀刻速率，使得所述第一电介质膜残存以覆盖所述布线层的端面和所述梳状电极。
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