[发明专利]基板升降机构、基板载置台和基板处理装置有效
申请号: | 201710499522.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107546171B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 伊藤毅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供即使在基板载置台的主体产生了变形时也能将升降销的高度位置控制在所期望的位置的基板升降机构、基板载置台和基板处理装置。在等离子体处理装置的处理容器内,设置在基板载置台(3)的载置台主体(5)的多个使基板升降的基板升降机构(8)包括:插通在基板载置台主体(5)的插通孔(5a)中、以相对于基板载置面突出和没入的方式可升降地设置、用其顶端支承基板的升降销(51);在其内部可升降地支承升降销(51)且对升降销(51)进行引导的升降‑引导部(52);和对升降销(51)进行升降驱动的驱动部(54),升降‑引导部(52)和驱动部(54)由载置台主体(5)支承,且不由处理容器(底壁2a)支承。 | ||
搜索关键词: | 升降 机构 基板载置台 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板升降机构,其在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内,在载置基板的基板载置台的载置台主体设置多个,使基板升降,所述基板升降机构的特征在于,包括:升降销,其插通在所述基板载置台主体的插通孔中,以相对于基板载置面突出和没入的方式可升降地设置,用其顶端支承基板;升降‑引导部,在其内部可升降地支承所述升降销,且对升降销进行引导;和驱动部,对所述升降销进行升降驱动,所述升降‑引导部和所述驱动部由所述载置台主体支承,且不由所述处理容器支承。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710499522.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:设置静电卡盘电压的方法、装置及半导体加工设备
- 下一篇:具有混合金属化的互连
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造