[发明专利]金属互连线工艺角建模方法

摘要

本发明提出了一种生成精确的互连线电阻（R）电容（C）工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew）值，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。该方法将给定金属层的互连几何参数（W、T、H）设为独立的正太分布变量，并采用统一的偏移量（skew值）作为全局参数。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了合理的工艺角模型，避免过于悲观的预测结果而浪费了设计空间。

主权项

1.一种生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征在于改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量(skew值)，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，获得与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。步骤包括：(1)由半导体制造公司提供的工艺角文件(如ITF文件)确定互连线工艺参数G的统计信息,即G的均值或是typical工艺角的值μG和标准差σG。(2)设置一全局的偏移量skew，令互连线工艺参数G满足G＝μG+σG·skew。(3)确定互连线电学参数(电阻R、电容C、及RC乘积)关于互连线工艺参数G的解析表达式R＝F(G),C＝Y(G)，RC＝X(G)，并采用一阶Taylor展开式获得R、C和RC的线性逼近方程。例如(4)将R、C和RC关于其工艺参数展开后获得展开系数ai，即可通过如下的解析表达式计算偏移量skew(5)计算一组不同线宽Wi的skewi值(6)利用Monte Carlo模拟方法分别计算该组线宽Wi所对应的一组Ri、Ci和(RC)i的统计信息(均值μ和标准差σ)，确定实际的Ri、Ci和(RC)i的最大与最小值，即μi+3σi，μi‑3σi。(7)利用Monte Carlo方法计算出的实际的Ri、Ci和(RC)i的最大与最小值采用数值计算反推出对应于实际的最大最小值时工艺参数的偏移量skewi_real。(8)采用线性回归技术(linear regression)以步骤(7)的计算结果skewi_real为基准，对步骤(4)和(5)计算的skewi值进行微调，给出微调系数a,b。(9)建立新的skew表达式从而建立精确的互连线工艺角模型。