[发明专利]用于高温应用的基于碳化硅的场效应气体传感器有效
| 申请号： | 201710500045.9 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107589164B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | M·安德松;H·法尚迪 | 申请（专利权）人： | 沃尔沃汽车公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于检测气体混合物中气态物质存在的场效应气体传感器，该场效应气体传感器包括：SiC半导体结构；覆盖SiC半导体结构的第一部分的电子绝缘层；与SiC半导体结构通过电子绝缘层至少部分分离的第一接触结构；以及导电地连接于SiC半导体结构的第二部分的第二接触结构，其中电子绝缘层和第一接触结构的至少之一被构造为与气态物质相互作用从而改变SiC半导体结构的电性能；并且其中第二接触结构包括：与SiC半导体结构的第二部分直接接触的欧姆接触层；以及通过覆盖欧姆接触层的导电中间‑过渡‑金属氧化物形成的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高温 应用 基于 碳化硅 场效应 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种用于检测气体混合物中气态物质存在的场效应气体传感器，所述场效应气体传感器包括：SiC半导体结构；电子绝缘层，覆盖所述SiC半导体结构的第一部分；通过所述电子绝缘层与所述SiC半导体结构至少部分分离的第一接触结构；以及第二接触结构，导电地连接于所述SiC半导体结构的不同于所述第一部分的第二部分，其中，所述电子绝缘层和所述第一接触结构的至少之一被构造为与所述气态物质相互作用以改变所述SiC半导体结构的电性能；并且其中，所述第二接触结构包括：与所述SiC半导体结构的第二部分直接接触的欧姆接触层；以及覆盖所述欧姆接触层的阻挡层，所述阻挡层由导电的中间‑过渡‑金属氧化物形成。
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