[发明专利]一种小尺寸红外传感器结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710500092.3 申请日: 2017-06-27
公开(公告)号: CN107316879B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 康晓旭;赵宇航 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种小尺寸红外传感器结构及其制备方法,通过在导电梁区域刻蚀出沟槽,利用沟槽侧壁来形成导电梁,从而实现了相邻像元结构共同享有一个导电支撑孔的小尺寸红外传感器结构,从而提高了像元结构的集成度,增大了像元结构中红外探测区域的面积,提高了红外探测效率。
搜索关键词: 一种 尺寸 红外传感器 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种小尺寸红外传感器结构,具有多个像元结构,每个像元结构具有红外探测区域(S)、与红外探测区域(S)相电连的导电梁(L)、以及用于支撑导电梁(L)并与导电梁(L)电连接的导电支撑孔(Z);其特征在于,相邻的所述像元结构(X1和X2)之间通过导电梁(L)共同连接至一个导电支撑孔(Z);所共同连接至的一个所述导电支撑孔(Z)设置于相邻的所述红外探测区域(S)之间的下方;以所共同连接至的一个所述导电支撑孔(Z)的中心线为对称轴,相邻的所述像元结构(X1和X2)呈镜像对称;所述导电梁(L)与所述导电支撑孔(Z)的侧壁连续为同一层,所述导电梁(L)的层次结构和所述导电支撑孔(Z)的侧壁的层次结构相同;所述导电梁(L)中每一层的水平宽度小于所述支撑孔(Z)的顶部中相应层厚度;其中,通过在导电梁区域的牺牲层(105)中刻蚀出沟槽(106),利用沟槽(106)侧壁来形成导电梁(L),并通过控制沉积导电梁(L)中各个层的厚度,使各层水平方向上的竖直厚度大于在沟槽(106)侧壁的水平宽度,从而得到导电梁(L)中各层的厚度小于相应层的水平方向上的竖直厚度,实现导电梁(L)尺寸的进一步减小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710500092.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top