[发明专利]双扩散金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710500576.8 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148579A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双扩散金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法，以提高击穿电压，并且同时以降低导通电阻，其中该双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)结构，包括漂移区及位于漂移区中的P‑top区，该漂移区的浓度呈阶梯非均匀渐变掺杂，可以是水平方向阶梯分布，也可以是垂直方向阶梯分布，在阶梯分布的漂移区中加入P‑top区，该P‑top区的粒子注入面轮廓线可呈凸起状，有尖端结构。漂移区浓度阶梯分布可以降低导通电阻，同时，这种浓度阶梯状分布形式与P‑top层的同时作用可以大大提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 双扩散金属氧化物半导体 场效应管 阶梯分布 导通电阻 击穿电压 浓度阶梯 粒子注入面轮廓线 分布形式 尖端结构 非均匀 凸起状 渐变 制造 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括漂移区及位于漂移区中的P‑top区，其特征在于，该漂移区的浓度呈阶梯非均匀渐变掺杂，可以是水平方向阶梯分布，也可以是垂直方向阶梯分布，该P‑top区的粒子注入面轮廓线可呈凸起状，三角形，向漂移区内部凸出，呈尖端结构。
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