[发明专利]一种基于复合真空镀膜机的真空镀膜方法在审

专利信息
申请号: 201710501027.2 申请日: 2017-06-27
公开(公告)号: CN107400856A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 樊召 申请(专利权)人: 樊召
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22
代理公司: 广州市红荔专利代理有限公司44214 代理人: 吴世民
地址: 518101 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于复合真空镀膜机的真空镀膜方法,包括以下步骤步骤一打开左炉热蒸发源,装入防指纹蒸发材料,在左端真空炉体中的左炉工件架上装好被镀工件,打开工件架旋转,使工件架以每分钟1~4转的公转速度旋转,关好左端真空炉体门,对左端真空炉体进行抽气,真空度达到0.05~0.02Pa,同时对工件进行加热到温度为100~160度,此时,右端真空炉体与左端真空炉体同样完成上述操作。本发明步骤简单、合理,可与复合真空镀膜机配合,实现快速、高品质的工件镀膜加工。
搜索关键词: 一种 基于 复合 真空镀膜 方法
【主权项】:
一种基于复合真空镀膜机的真空镀膜方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:打开左炉热蒸发源,装入防指纹蒸发材料,在左端真空炉体中的左炉工件架上装好被镀工件,打开工件架旋转,使工件架以每分钟1~4转的公转速度旋转,关好左端真空炉体门,对左端真空炉体进行抽气,真空度达到0.05~0.02Pa,同时对工件进行加热到温度为100~160度,此时,右端真空炉体与左端真空炉体同样完成上述操作;步骤二:对左端真空炉体充入工作气体氩气,使真空度保持在1~3Pa,对工件架施加‑200V~‑500V偏压,根据工件大小及数量调节偏压大小,使工件表面形成辉光放电,保持3~30分钟加压时间,对工件进行辉光清洗处理;步骤三:调节左端真空炉体氩气充入量使真空度保持在0.02~0.08Pa,偏压调节到‑100V~‑400V,依次打开电弧源,电弧源溅射材料为铬或钛中的一种,电弧电流控制在35~100A,每个电弧工作1~5分钟,根据工件大小及数量调节电弧电流的大小以保证清洗效果;步骤四:继续对左端真空炉体进行操作,完成清洗工作后关闭电弧源,停止氩气充入,关闭工件偏压及工件旋转,打开左端真空炉体与高真空炉体间的插板阀,将在左端真空炉体中的工件架运送到高真空炉体后关闭插板阀,而后打开工件架,准备进行镀膜;步骤五:保持高真空炉体真空度达到0.02~0.002Pa,充入工作气体氩气使炉内的真空度保持在0.1~0.8Pa,对工件架施加‑60V~‑200V偏压,打开磁控溅射源中频电源,电流控制在10~50A范围内,使磁控源工作,对工件进行金属层镀膜,镀膜时间为3~30分钟;步骤六:调整高真空炉内的氩气充入量,保持真空度0.2~0.6Pa,偏压调整到‑30~‑150V,加入反应气体氮气和乙炔,镀膜时间为10~100分钟,通过调整反应气体的配比及充入量,控制镀膜层L值在85~25区间,可呈现出银色,灰色,黑色等不同颜色膜层;步骤七:关闭磁控溅射源,关闭所有充入气体,关闭偏压及工件架旋转;步骤八:打开左端真空炉与高真空炉间的插板阀,将高真空炉体中的左炉工件架运送到左端真空炉体后左插板阀;步骤九:打开左炉工件架旋转,对左炉真空炉内充入氩气至真空度0.02~0.04Pa,充入反应气体氧气20~200sccm,打开左端真空炉体的左炉磁控溅射源,电流为5~20A,磁控源靶材为二氧化硅或其它硅基靶材,调整氧气及磁控源电流比例使工件表面沉积出2~100nm透明硅基过渡层,然后关闭磁控源及气体充入;步骤十:在热蒸发源电极通入5~36V,电流为10~300A加热电流至蒸发源发热将防指纹蒸发材料气化后沉积在工件表面,蒸发时间为2~10分钟,防指纹膜层的厚度控制在3~400nm,而后,对左端真空炉体恢复大气压,取出镀好的工件;步骤十一:重复步骤一,完成左端真空炉体一次镀膜;在步骤九操作的同时右端真空炉体同样对应完成左端真空炉体完成的步骤二至步骤十一,完成右端真空炉体一次镀膜,从而完成一次循环操作。
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