[发明专利]含氮材料选择性蚀刻方法有效
| 申请号： | 201710501602.9 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108074807B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邱意为;吴孟娟;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种含氮材料选择性蚀刻方法，供选择性自由基组成部分蚀刻暴露出的含氮材料。此方法包括将一基板设置于一蚀刻处理区域，在一等离子体区域产生一等离子体，将等离子体的含有自由基的组成部分流至蚀刻处理区域并实质上将等离子体的带电荷离子排除在蚀刻处理区域之外，使一未激发气体流入蚀刻处理区域，且以等离子体的含有自由基的组成部分及未激发气体的反应生成物蚀刻暴露出的含氮材料。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 选择性 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氮材料选择性蚀刻方法，包括：在一第一区域中接收以一第一前驱物产生的一等离子体；将一含有自由基的组成部分与该等离子体分离；使含有自由基的组成部分从该第一区域流至一第二区域；在该第二区域接收一第二前驱物；及以该含有自由基的组成部分及该第二前驱物的一结合物蚀刻一含氮材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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