[发明专利]一种太阳能电池片返工方法有效
| 申请号： | 201710501618.X | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107104173B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种太阳能电池片返工方法，包括：提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失败膜层，所述待返工硅片位于管式镀膜炉管内；往所述管式镀膜炉管内通入气体，生成含氟等离子体；利用所述含氟等离子体去除所述待返工硅片表面的失败膜层；对去除失败膜层的硅片重新镀膜。本发明提供的太阳能电池片返工方法，使用干法含氟的等离子体去除镀膜失败的硅片表面的失败膜层，能够直接在管式镀膜炉管内进行，而无需其它工序处理。重新镀膜时，也可以直接重新镀膜，不需要重新经过制绒、扩散、刻蚀工序，然后重新镀膜，因此，能够节省大量返工时间和物料成本。且本发明实施例提供的太阳能电池片返工方法工艺简单，步骤精简，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 返工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池片返工方法，其特征在于，包括：提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失败膜层，所述失败膜层为减反膜，所述待返工硅片位于管式镀膜炉管内；往所述管式镀膜炉管内通入气体，生成含氟等离子体；利用所述含氟等离子体去除所述待返工硅片表面的失败膜层；对去除失败膜层的硅片重新镀膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
