[发明专利]一种矩阵排列的环形FET器件

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种矩阵排列的环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层；环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成；栅极的第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成，闭合环环绕对应的源极金属；第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极的第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔，闭合环位于对应的通孔内；第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设若干背孔至源极金属，每个源极金属经对应的背孔通过连接金属与背面金属相连。本发明可以降低栅延迟、提高器件击穿电压。

主权项

1.一种矩阵排列的环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层，其特征在于，还包括环形隔离区、栅极、源极及漏极，环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成，每个源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极包括第一环绕部和第一延伸部，第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成，闭合环与源极金属一一对应，且闭合环环绕对应的源极金属，每个闭合环与同一行相邻的闭合环连接；第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环引出，并沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极包括第二环绕部和第二延伸部，第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔，每个通孔与同一行相邻的通孔连通，通孔与闭合环一一对应，且闭合环位于对应的通孔内；第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设若干背孔至源极金属，背孔与源极金属一一对应，且每个源极金属经对应的背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连，源极通过背面通孔接地。