[发明专利]四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201710502823.8 申请日: 2017-06-27
公开(公告)号: CN107311119B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 麦立强;陈成;朱少华;安琴友 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;H01M4/58;H01M10/0525;H01M10/054
代理公司: 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 崔友明
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于纳米材料与电化学技术领域,具体涉及一种四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料及其制备方法,该材料可作为高容量长寿命锂离子或钠离子电池负极活性材料。包括有以下步骤:1)将镍钴前驱体称取125mg与0.111g二氧化硒粉末,溶于35ml苯甲醇溶液,在室温下充分搅拌;2)将步骤1)所得溶液转移到反应釜中,加热以进行溶剂热反应;3)将步骤3)所得产物离心过滤,反复洗涤所得沉淀物,烘干。本发明作为锂离子电池负极材料活性物质时,该中空纳米棱柱材料表现出优异的循环稳定性,以及很高的容量,是高功率、长寿命钠离子电池的潜在应用材料。
搜索关键词: 四硒化二钴镍 中空 纳米 棱柱 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料,其为中空结构,所述纳米棱柱长1~1.5微米,宽150~250纳米。/n
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