[发明专利]一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法有效
申请号: | 201710504620.2 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107342200B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 张忻;刘洪亮;肖怡新;冯琦;张久兴 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J9/02 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前,稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难,限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列,所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整,能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列,尖锥高度、间隔和密度可控,适合大规模应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 六硼化物场 发射 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法,其特征在于:1)将稀土六硼化物表面进行机械抛光后进入步骤2);2)采用飞秒或皮秒激光器,其产生的激光束对步骤1)处理后的稀土六硼化物表面进行激光直写的去除,加工出的阵列密度为10000‑100000个/mm2;具体加工参数是:在正焦条件下,激光能量密度为1‑100J/cm2;激光直写速度为1‑100mm/min;激光的等效脉冲个数为5‑300个/min;激光直写的间隔为1‑40μm。
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