[发明专利]无源位置灵敏探测器、其制备方法及其测量方法

摘要

本发明提供了一种基于石墨烯‑硅（Si）异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si衬底是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10Ωcm；所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯；所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；所述的Si衬底背面的金属电极为铝。本发明的有益效果如下：基于本发明所获得的基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器，不仅实现了无功耗，还可以大幅提升现有硅基位置灵敏探测器的最低极限探测功率和工作波长等性能指标。

主权项

1.无源位置灵敏探测器，其特征在于，所述的探测器基于石墨烯‑硅异质结，所述的探测器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si衬底是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10 Ω cm；所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯；所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；所述的Si衬底背面的金属电极为铝。