[发明专利]包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710504915.X | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107195669A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周细凤;曾荣周 | 申请（专利权）人： | 湖南工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)43108 | 代理人： | 宋向红 |
| 地址： | 411101 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。本发明的第二金属层与第一金属层形成用于自对准的底切形状，从而构成栅电极，金属堆叠的栅电极增大了栅电容效率，并且定义用于自对准结构的栅电极只需要一次曝光，简化了制备工艺，也节省了制备成本。本发明还公开了一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 金属 堆叠 电极 对准 纳米 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。
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