[发明专利]一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法在审
申请号: | 201710504940.8 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107381622A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 张苏;宋鹏;王琦;杨中喜;郝佩 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;C01B32/184;G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人: | 李茜 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法。该制备方法具体包括以四水合三氯化铟,十二胺为原料,经水热反应,煅烧处理后得到氧化铟纳米微球;然后用氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对氧化铟表面进行处理,使其表面带有正电荷;进而将带有正电荷的氧化铟与氧化石墨烯分散至去离子水中,使其二者结合,最后用水热法将氧化石墨烯还原,最终得到rGO‑In2O3纳米微球复合材料。本方法生产工艺简单,所得rGO‑In2O3纳米微球复合材料具有p‑n异质结结构,结合了rGO比表面积大以及In2O3半导体材料的优点。本方法适用于rGO与金属半导体氧化物结合的工艺,从而得到性能优良的材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 rgo in2o3 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种rGO‑In2O3纳米微球复合材料的制备方法,具体合成步骤如下:(1)称取一定量的四水合三氯化铟、十二胺,溶于35 mL无水乙醇中,其中四水合三氯化铟的浓度为0.02‑0.05 mol/L,十二胺的浓度为0.02‑0.05 mol/L,且控制四水合三氯化铟与十二胺的摩尔比为1:(1‑2);(2)称取一定质量步骤(1)所得的In2O3,超声均匀分散在50 ml乙醇溶液中,再加入一定量的用氨丙基三乙氧基硅烷(APTES),在60 ℃下搅拌4 h,将沉淀用乙醇离心洗涤数次,在60 ℃下烘干,其中控制In2O3的质量体积比为:1‑2 mg/mL,且控制In2O3:APTES的摩尔比为(60‑100):1;(3)称取一定量的氧化石墨烯GO,将其超声分散于80 mL去离子水中,得到GO胶体溶液,其中GO的浓度为0.05‑0.2 mg/mL,将步骤(2)所得样品分散在上述溶液中,然后超声分散30 min,其中控制GO与In2O3的质量比为:1:(5‑10),将所得溶液转移至反应釜内在120 ℃下水热反应14 h,反应完全后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀,使用冷冻干燥机在‑50 ℃下干燥24 h,制得rGO‑In2O3纳米微球复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学,未经济南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710504940.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种介孔氧化铟的制备方法
- 下一篇:一种中间带半导体材料及其制备方法和应用
- 复合纳米半导体Cl<sub>2</sub>敏感材料In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/Pt的制备方法
- 一种在硅片上复合In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>花状纳米结构的半导体材料及其制备方法
- 一种在硅片上复合In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法
- 一种金属掺杂的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的复合材料的制备方法
- 一种Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 异质结构纳米管及其制备方法与应用
- 一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ZnO异质结构纳米管及其制备方法与应用
- 一种氧化铟纳米纤维场效应晶体管电学性能的调控方法
- 一种Cd掺杂In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>多孔纳米球
- 一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基染料敏化太阳能电池的制备方法
- 纳米氧化铟介孔组装体系及其制备方法