[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710505666.6 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148290B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王楠;潘梓诚;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3215 | 分类号： | H01L21/3215;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上用于MOS器件的鳍片；在所述衬底上位于所述鳍片周围的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述鳍片的上表面；在所述隔离区和所述鳍片上的层间电介质层，所述层间电介质层具有露出所述鳍片的一部分的沟槽；在所述鳍片的露出部分的上表面和侧面上的栅极电介质层，以及在所述栅极电介质层上的功函数金属层；以及对所述功函数金属层进行离子注入，以增大所述MOS器件的阈值电压。本申请可以提高MOS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，在所述衬底上用于MOS器件的鳍片，在所述衬底上位于所述鳍片周围的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述鳍片的上表面，在所述隔离区和所述鳍片上的层间电介质层，所述层间电介质层具有露出所述鳍片的一部分的沟槽，在所述鳍片的露出部分的上表面和侧面上的栅极电介质层，以及在所述栅极电介质层上的功函数金属层；以及对所述功函数金属层进行离子注入，以增大所述MOS器件的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
