[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201710505692.9 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107425099B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈世益;陈威佑;陈怡名;林敬倍;李宗宪 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种发光元件，包括：一发光叠层，包括：一第一电性半导体层；一活性层位于第一电性半导体层之上；以及一第二电性半导体层位于活性层之上；一导电层位于第一电性半导体层之下，具有一宽度大于第一电性半导体层的宽度，包括与第一电性半导体层重叠的一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的一第一延伸部；一透明导电层位于第二电性半导体层之上，具有一宽度大于第二电性半导体层的宽度，包括与第二电性半导体层重叠的一第二重叠部及未与第二电性半导体层重叠的一第二延伸部；一第一电极大致只与第一延伸部或第一延伸部的一部份相接；以及一第二电极大致只与第二延伸部或第二延伸部的一部份相接。本发明的发光元件具有可增加光取出的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：/n基板；/n发光叠层，位于该基板上，该发光叠层具有长度、宽度、第一电性半导体层、活性层位于该第一电性半导体层之上、以及第二电性半导体层位于该活性层之上，其中该第一电性半导体层，该活性层，及该第二电性半导体层沿着一堆叠方向堆叠；/n导电层，包括与该第一电性半导体层重叠的第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的第一延伸部；/n透明导电层，位于该第二电性半导体层之上，该透明导电层包括与该第二电性半导体层重叠的第二重叠部及未与该第二电性半导体层重叠的第二延伸部；/n第一电极，与该第一延伸部相接；/n第二电极，与该第二延伸部相接；以及/n绝缘层，位于该透明导电层和该基板之间，且与该发光叠层和该第一重叠部的側壁相接；/n其中，该第一电极或该第二电极在该堆叠方向上不与该发光叠层重叠。/n
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